%0 Generic %1 SINGH2007 %A SINGH, N. %A WAGNER, B. %A AUMER, M. %A THOMSON, D. %A KHALER, D. %A BERGHMANS, A. %A KNUTESON, D. %D 2007 %K AlN SiC nitride %N WO/2008/008407 %T MAT?RIAUX SEMICONDUCTEURS ? LARGE BANDE %X La pr?sente invention concerne un substrat et un proc?d? de culture de cristal sur un film d'alliage m?tallo-organique tel que (AIN)x(SiC)(I -x) sans aucune couche tampon. Le film d'alliage (AlN)x(SiC)(I-X) peut ?tre form? sur un substrat SiC par proc?d? de d?p?t de vapeur utilisant de la poudre AlN et SiC comme mat?riaux de d?marrage. Le film d'alliage (AIN)x(S iC)(I-X) fournit une meilleure correspondance de r?seau pour une croissance ?pitaxiale GaN ou SiC et r?duit les d?fauts dans les GaN dont on effectue une culture ?pitaxiale par une meilleure correspondance de r?seau et une meilleure chimie.

@patent{SINGH2007, abstract = { La pr?sente invention concerne un substrat et un proc?d? de culture de cristal sur un film d'alliage m?tallo-organique tel que (AIN)x(SiC)(I -x) sans aucune couche tampon. Le film d'alliage (AlN)x(SiC)(I-X) peut ?tre form? sur un substrat SiC par proc?d? de d?p?t de vapeur utilisant de la poudre AlN et SiC comme mat?riaux de d?marrage. Le film d'alliage (AIN)x(S iC)(I-X) fournit une meilleure correspondance de r?seau pour une croissance ?pitaxiale GaN ou SiC et r?duit les d?fauts dans les GaN dont on effectue une culture ?pitaxiale par une meilleure correspondance de r?seau et une meilleure chimie.}, added-at = {2009-11-05T12:01:24.000+0100}, author = {SINGH, N. and WAGNER, B. and AUMER, M. and THOMSON, D. and KHALER, D. and BERGHMANS, A. and KNUTESON, D.}, bibtexkey = {SINGH2007}, biburl = {https://www.bibsonomy.org/bibtex/2184382cf9c8c525adf84fbcc75fd4a11/ghuot}, interhash = {b16cb4840dbb01c3a60405866d472247}, intrahash = {184382cf9c8c525adf84fbcc75fd4a11}, keywords = {AlN SiC nitride}, number = {WO/2008/008407}, organization = {NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION }, owner = {Guillaume}, timestamp = {2009-11-05T12:01:35.000+0100}, title = {MAT?RIAUX SEMICONDUCTEURS ? LARGE BANDE}, type = {Us patent}, year = 2007 }