,

0.3-1.5 V Embedded SRAM Core with Write-Replica Circuit Using Asymmetrical Memory Cell and Source-Level-Adjusted Direct-Sense-Amplifier.

, , , , , и .
IEICE Trans. Electron., 88-C (4): 630-638 (2005)

Метаданные

тэги

Пользователи данного ресурса

  • @dblp

Комментарии и рецензии