Abstract
La pr?sente invention concerne un substrat et un proc?d?
de culture de cristal sur un film d'alliage m?tallo-organique
tel que (AIN)x(SiC)(I -x) sans aucune couche tampon. Le film
d'alliage (AlN)x(SiC)(I-X) peut ?tre form? sur un substrat
SiC par proc?d? de d?p?t de vapeur utilisant de la poudre AlN
et SiC comme mat?riaux de d?marrage. Le film d'alliage
(AIN)x(S iC)(I-X) fournit une meilleure correspondance de
r?seau pour une croissance ?pitaxiale GaN ou SiC et r?duit
les d?fauts dans les GaN dont on effectue une culture
?pitaxiale par une meilleure correspondance de r?seau et une
meilleure chimie.
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