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16-layer 3D Vertical RRAM with Low Read Latency (18ns), High Nonlinearity (>5000) and Ultra-low Leakage Current (~pA) Self-Selective Cells.

Y. Ding, J. Yang, Y. Liu, J. Gao, Y. Wang, P. Jiang, S. Lv, Y. Chen, B. Wang, W. Wei, T. Gong, K. Xue, Q. Luo, X. Miao, und M. Liu. VLSI Technology and Circuits, Seite 1-2. IEEE, (2023)

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