( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Omura, Ichiro"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Real-time failure imaging system under power stress for power semiconductors using Scanning Acoustic Tomography (SAT).

, und . Microelectron. Reliab., 52 (9-10): 2081-2086 (2012)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Ichiro Omura

Temmyo Ichiro

Ichiro Yamaguchi

Ichiro Yamaguchi

Ichiro Tamura

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Tiny-scale "stealth" current sensor to probe power semiconductor device failure., , , und . Microelectron. Reliab., 51 (9-11): 1689-1692 (2011)A power cycling degradation inspector of power semiconductor devices., und . Microelectron. Reliab., (2018)Modelling of the shoot-through phenomenon introduced by the next generation IGBT in inverter applications., , , , , und . Microelectron. Reliab., (2017)Power Semiconductor Devices for Hybrid, Electric, and Fuel Cell Vehicles., und . Proc. IEEE, 95 (4): 778-789 (2007)Switching of 3300V Scaled IGBT by 5V Gate Drive., , , , , , , , , und 13 andere Autor(en). ASICON, Seite 1-3. IEEE, (2019)Structure oriented compact model for advanced trench IGBTs without fitting parameters for extreme condition: Part II., , , und . Microelectron. Reliab., 54 (9-10): 1891-1896 (2014)Real-time failure imaging system under power stress for power semiconductors using Scanning Acoustic Tomography (SAT)., und . Microelectron. Reliab., 52 (9-10): 2081-2086 (2012)3D scaling for insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with low Vce(sat)., , , , , , , , , und 12 andere Autor(en). ASICON, Seite 1137-1140. IEEE, (2017)