Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Multi-Subband Ensemble Monte Carlo Simulator for Nanodevices in the End of the Roadmap., , , , , , und . LSSC, Volume 11958 von Lecture Notes in Computer Science, Seite 438-445. Springer, (2019)Influence of Punch Trough Stop Layer and Well Depths on the Robustness of Bulk FinFETs to Heavy Ions Impact., , , und . IEEE Access, (2022)Techniques for Statistical Enhancement in a 2D Multi-subband Ensemble Monte Carlo Nanodevice Simulator., , , , , , und . LSSC, Volume 11958 von Lecture Notes in Computer Science, Seite 411-419. Springer, (2019)Size-dependent electron mobility in InAs nanowires., , , , und . ESSDERC, Seite 317-320. IEEE, (2014)Temperature and Gate Leakage Influence on the Z2-FET Memory Operation., , , , , , und . ESSDERC, Seite 238-241. IEEE, (2019)Multibranch mobility characterization: Evidence of carrier mobility enhancement by back-gate biasing in FD-SOI MOSFET., , , , , , , , und . ESSDERC, Seite 209-212. IEEE, (2012)On the Low-Frequency Noise Characterization of Z2-FET Devices., , , , , , , , und . IEEE Access, (2019)Three-dimensional multi-subband simulation of scaled FinFETs., , , , und . ESSDERC, Seite 180-183. IEEE, (2017)Threshold voltage and on-current Variability related to interface traps spatial distribution., , , , , , , , und . ESSDERC, Seite 230-233. IEEE, (2015)Impact of the Trap Attributes on the Gate Leakage Mechanisms in a 2D MS-EMC Nanodevice Simulator., , , , , , , und . NMA, Volume 11189 von Lecture Notes in Computer Science, Seite 273-280. Springer, (2018)