( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "García-Sánchez, Francisco J."

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Influence of polysilicon-gate depletion on the subthreshold behavior of submicron MOSFETs.

, , , , , , , und . Microelectron. Reliab., 42 (3): 343-347 (2002)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Elsa Sánchez García

Margarita Sánchez García

Francisco Müller Sánchez

Francisco Castañeda Sánchez

Francisco García Moreno

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

A review of recent MOSFET threshold voltage extraction methods., , , , , und . Microelectron. Reliab., 42 (4-5): 583-596 (2002)A unified look at the use of successive differentiation and integration in MOSFET model parameter extraction., , , , und . Microelectron. Reliab., 55 (2): 293-307 (2015)Determination of trap cross-section in a-Si: H p-i-n diodes parameters using simulation and parameter extraction., , , und . Microelectron. Reliab., 41 (4): 605-610 (2001)Understanding threshold voltage in undoped-body MOSFETs: An appraisal of various criteria., , und . Microelectron. Reliab., 46 (5-6): 731-742 (2006)Revisiting MOSFET threshold voltage extraction methods., , , , , und . Microelectron. Reliab., 53 (1): 90-104 (2013)An explicit multi-exponential model for semiconductor junctions with series and shunt resistances., , , , , und . Microelectron. Reliab., 51 (12): 2044-2048 (2011)Indirect fitting procedure to separate the effects of mobility degradation and source-and-drain resistance in MOSFET parameter extraction., , , , , , und . Microelectron. Reliab., 49 (7): 689-692 (2009)A review of DC extraction methods for MOSFET series resistance and mobility degradation model parameters., , , , , , und . Microelectron. Reliab., (2017)Comments on Ä sinh Resistor and Its Application to tanh Linearization"., , , , und . IEEE J. Solid State Circuits, 41 (10): 2359 (2006)Influence of polysilicon-gate depletion on the subthreshold behavior of submicron MOSFETs., , , , , , , und . Microelectron. Reliab., 42 (3): 343-347 (2002)