From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

Strategy to Characterize Electromigration Short Length Effects in Cu/low-k Interconnects.

Z. Zhang, M. Kraatz, M. Hauschildt, S. Choi, A. Clausner, E. Zschech, и M. Gall. IRPS, стр. 1-5. IEEE, (2021)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Martin Gall

Werner Gall

Helmut Gall

Ernst Gall

Rolf Gall

Другие публикации лиц с тем же именем

Impact of stress-induced backflow on full-chip electromigration risk assessment.H. Haznedar, M. Gall, V. Zolotov, P. Ku, C. Oh, и R. Panda. IEEE Trans. Comput. Aided Des. Integr. Circuits Syst., 25 (6): 1038-1046 (2006)Prediction of SRAM Reliability Under Mechanical Stress Induced by Harsh En§ironments.J. Warmuth, K. Giering, A. Lange, A. Clausner, S. Schlipf, G. Kurz, M. Otto, J. Paul, R. Jancke, A. Aal и 2 other автор(ы). ESSDERC, стр. 178-181. IEEE, (2018)RF Reliability of SOI-based Power Amplifier FETs for mmWave 5G Applications.P. Srinivasan, F. Guarin, S. Syed, J. Jerome, W. Liu, S. Jain, D. Lederer, S. Moss, P. Colestock, A. Bandyopadhyay и 3 other автор(ы). IRPS, стр. 1-6. IEEE, (2021)RF long term aging behavior and reliability in 22FDX WiFi Power Amplifier designs for 5G applications.P. Srinivasan, J. Lestage, S. Syed, X. Hui, S. Moss, O. Restrepo, O. Gonzalez, Y. Chen, T. McKay, A. Bandyopadhyay и 5 other автор(ы). IRPS, стр. 1-6. IEEE, (2023)Strategy to Characterize Electromigration Short Length Effects in Cu/low-k Interconnects.Z. Zhang, M. Kraatz, M. Hauschildt, S. Choi, A. Clausner, E. Zschech, и M. Gall. IRPS, стр. 1-5. IEEE, (2021)Self-aligned Fiber Attach on Monolithic Silicon Photonic Chips: Moisture Effect and Hermetic Seal.Z. Wu, P. Wang, S. Choi, P. Justison, M. Gall, J. Cho, T. Hirokawa, Y. Bian, T. Houghton, V. Karra и 6 other автор(ы). OFC, стр. 1-3. IEEE, (2023)Analysis of 28 nm SRAM cell stability under mechanical load applied by nanoindentation.A. Clausner, S. Schlipf, G. Kurz, M. Otto, J. Paul, K. Giering, J. Warmuth, A. Lange, R. Jancke, A. Aal и 3 other автор(ы). IRPS, стр. 5. IEEE, (2018)A Novel Method for the Determination of Electromigration-Induced Void Nucleation Stresses.J. Shuster-Passage, S. Razek, M. Mattoo, M. Hauschildt, S. Choi, M. Gall, A. Kteyan, J. Choy, V. Sukharev, M. Kraatz и 1 other автор(ы). IRPS, стр. 10. IEEE, (2024)Advanced methods for mechanical and structural characterization of nanoscale materials for 3D IC integration.C. Sander, Y. Standke, S. Niese, R. Rosenkranz, A. Clausner, M. Gall, и E. Zschech. Microelectron. Reliab., 54 (9-10): 1959-1962 (2014)Thermal Considerations on RF Reliability and Aging in SOI CMOS Based Power Amplifiers.P. Srinivasan, O. Gonzalez, O. Restrepo, J. Lestage, S. Syed, W. Taylor, A. Bandyopadhyay, M. Gall, и S. Ludvik. IRPS, стр. 1-6. IEEE, (2024)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter