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A 0.6 V, 1.5 GHz 84 Mb SRAM in 14 nm FinFET CMOS Technology With Capacitive Charge-Sharing Write Assist Circuitry., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). IEEE J. Solid State Circuits, 51 (1): 222-229 (2016)5.6 Mb/mm2 1R1W 8T SRAM Arrays Operating Down to 560 mV Utilizing Small-Signal Sensing With Charge Shared Bitline and Asymmetric Sense Amplifier in 14 nm FinFET CMOS Technology., , , , , , und . IEEE J. Solid State Circuits, 52 (1): 229-239 (2017)An All-In-One Silicon Odometer for Separately Monitoring HCI, BTI, and TDDB., , , und . IEEE J. Solid State Circuits, 45 (4): 817-829 (2010)An array-based Chip Lifetime Predictor macro for gate dielectric failures in core and IO FETs., , und . ESSDERC, Seite 262-265. IEEE, (2012)On-chip reliability monitors for measuring circuit degradation., , , und . Microelectron. Reliab., 50 (8): 1039-1053 (2010)An On-Chip NBTI Sensor for Measuring pMOS Threshold Voltage Degradation., , und . IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., 18 (6): 947-956 (2010)An array-based test circuit for fully automated gate dielectric breakdown characterization., , , und . CICC, Seite 121-124. IEEE, (2008)A 0.2 V, 480 kb Subthreshold SRAM With 1 k Cells Per Bitline for Ultra-Low-Voltage Computing., , , und . IEEE J. Solid State Circuits, 43 (2): 518-529 (2008)Modeling and analysis of leakage induced damping effect in low voltage LSIs., , und . ISLPED, Seite 382-387. ACM, (2006)Statistical Leakage Estimation of Double Gate FinFET Devices Considering the Width Quantization Property., , , und . IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., 16 (2): 206-209 (2008)