Пожалуйста, войдите в систему, чтобы принять участие в дискуссии (добавить собственные рецензию, или комментарий)
Цитировать эту публикацию
%0 Journal Article
%1 journals/ieiceee/HuHHYXL16
%A Hu, Zhebin
%A Huang, Chao-Yi
%A He, Songbai
%A You, Fei
%A Xie, Shu Yi
%A Lin, Haodong
%D 2016
%J IEICE Electron. Express
%K dblp
%N 12
%P 20160483
%T C-band general Class-J power amplifier using GaN HEMT.
%U http://dblp.uni-trier.de/db/journals/ieiceee/ieiceee13.html#HuHHYXL16
%V 13
@article{journals/ieiceee/HuHHYXL16,
added-at = {2021-02-12T00:00:00.000+0100},
author = {Hu, Zhebin and Huang, Chao-Yi and He, Songbai and You, Fei and Xie, Shu Yi and Lin, Haodong},
biburl = {https://www.bibsonomy.org/bibtex/2ea27ac8834048db29e4e70d6c7f381bd/dblp},
ee = {https://doi.org/10.1587/elex.13.20160483},
interhash = {dd24918189d10d725ef57ac6721cfef3},
intrahash = {ea27ac8834048db29e4e70d6c7f381bd},
journal = {IEICE Electron. Express},
keywords = {dblp},
number = 12,
pages = 20160483,
timestamp = {2024-04-09T06:47:18.000+0200},
title = {C-band general Class-J power amplifier using GaN HEMT.},
url = {http://dblp.uni-trier.de/db/journals/ieiceee/ieiceee13.html#HuHHYXL16},
volume = 13,
year = 2016
}