%0 Journal Article %1 plihalphotodioden %A Plihal, Manfred %A Späth, Werner %A Trommer, Reiner %D - %K Lichtwellenleiter Photodioden %T Photodioden als optische Empfänger für Lichtwellenleiter· Übertragungssysteme %X Während für das Übertragungsfenster von Lichtwellenleitern im Wellenlängenbereich von 800 bis 900 nm Photodioden und A valanche- Photodioden aus Silizium eingesetzt werden, finden für die Übertragungsfenster um 1300 und 1500 nm Avalanche-Photodioden aus Germanium Verwendung. Die neueren Entwicklungen konzentrieren sich darauf, für die beiden langwelligen Ubertragungsfenster empfindlichere Empfänger zu realisieren, als dies mit Avalanche-Photodioden aus Germanium möglich ist. Dabei werden - ähnlich wie bei den Sendeelementen - die Photodioden und Avalanche-Photodioden aus III-V-Halbleitern vor allem aus dem Materialsystem InGaAsP/InP hergestellt. Die heute empfindlichsten Empfänger für den langwelligen Bereich bis zu Übertragungsraten von 565 Mbit/s enthalten Photodioden aus InGaAs/InP und rauscharme GaAs-Feldeffekttransistoren als Vorverstärker. Noch höhere Empfindlichkeiten sind von Empfängern mit A valanche-Photodioden aus III-V-Halbleitern zu erwarten. Der technische Einsatz solcher Dioden ist aber trotz vielversprechender Einzelergebnisse noch nicht abzusehen.

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