,

A 4 GBaud 5 Vpp Class-B Pre-Driver Design for GaN-Based Switching Power Amplifier in 22 nm SOI-CMOS Utilizing LDMOS.

, , , , и .
NEWCAS, стр. 1-5. IEEE, (2023)

Метаданные

тэги

Пользователи данного ресурса

  • @dblp

Комментарии и рецензии