( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Nafría, Montserrat"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Challenges and solutions to the defect-centric modeling and circuit simulation of time-dependent variability.

, , , , , , , und . IRPS, Seite 1-9. IEEE, (2023)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Montserrat Pally

Montserrat Elizalde Vilalta

Montserrat Freixa Pascual

Montserrat Armengol Gelonch

Maria-Montserrat Bleker

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Influence of a low field with opposite polarity to the stress on the degradation of 4.5 nm thick SiO2 films., , , und . Microelectron. Reliab., 41 (7): 1011-1013 (2001)Influence of the SiO2 layer thickness on the degradation of HfO2/SiO2 stacks subjected to static and dynamic stress conditions., , , , und . Microelectron. Reliab., 47 (4-5): 544-547 (2007)SPICE modelling of hot-carrier degradation in Si1-xGex S/D and HfSiON based pMOS transistors., , , , , , , und . Microelectron. Reliab., 50 (9-11): 1263-1266 (2010)Pre- and post-BD electrical conduction of stressed HfO2/SiO2 MOS gate stacks observed at the nanoscale., , , und . Microelectron. Reliab., 45 (9-11): 1390-1393 (2005)Investigation of Conductivity Changes in Memristors under Massive Pulsed Characterization., , , , und . DCIS, Seite 1-4. IEEE, (2018)Reliability simulation for analog ICs: Goals, solutions, and challenges., , , , , , , und . Integr., (2016)Effect of oxide breakdown on RS latches., , , und . Microelectron. Reliab., 47 (4-5): 581-584 (2007)Threshold voltage and on-current Variability related to interface traps spatial distribution., , , , , , , , und . ESSDERC, Seite 230-233. IEEE, (2015)Statistical characterization and modeling of random telegraph noise effects in 65nm SRAMs cells., , , , , , , und . SMACD, Seite 1-4. IEEE, (2017)Flexible Setup for the Measurement of CMOS Time-Dependent Variability With Array-Based Integrated Circuits., , , , , , , und . IEEE Trans. Instrum. Meas., 69 (3): 853-864 (2020)