Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Controllability of multi-level states in memristive device models using a transistor as current compliance during SET operation., , , und . IJCNN, Seite 1-8. IEEE, (2015)The influence of interfacial (sub)oxide layers on the properties of pristine resistive switching devices., , , , , und . NVMTS, Seite 1-4. IEEE, (2018)Memory Devices: Energy-Space-Time Tradeoffs., , , , , , , und . Proc. IEEE, 98 (12): 2185-2200 (2010)NeuroHammer: Inducing Bit-Flips in Memristive Crossbar Memories., , , , , , , , und . DATE, Seite 1181-1184. IEEE, (2022)Integration of Physics-Derived Memristor Models with Machine Learning Frameworks., , , und . IEEECONF, Seite 1142-1146. IEEE, (2022)Memristive Device Modeling and Circuit Design Exploration for Computation-in-Memory., , , und . ISCAS, Seite 1-5. IEEE, (2019)Exploring Multi-Valued Logic and its Application in Emerging Post-CMOS Technologies., , , , , , , , , und . NANOARCH, Seite 30:1-30:7. ACM, (2023)Experimental Verification of Uncoupled Memristive Cellular Nonlinear Network by Processing the EDGE Detection Task., , , , , , , , , und . NANOARCH, Seite 36:1-36:7. ACM, (2023)Performance Analysis of Memristive-CNN based on a VCM Device Model., , , , und . ISCAS, Seite 1184-1188. IEEE, (2022)A Complementary Resistive Switch-Based Crossbar Array Adder., , , und . IEEE J. Emerg. Sel. Topics Circuits Syst., 5 (1): 64-74 (2015)