,

Impact of channel thickness scaling on the performance of GaN-on-Si RF HEMTs on highly C-doped GaN buffer.

, , , , , , , , , , , , , и .
ESSDERC, стр. 384-387. IEEE, (2022)

Метаданные

тэги

Пользователи данного ресурса

  • @dblp

Комментарии и рецензии