( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Ohmi, Shun'ichiro"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
High-k LaBxNy gate insulator formed by the Ar/N2 plasma sputtering of N-doped LaB6 metal thin films and its application to floating-gate memory.

, und . DRC, Seite 1-2. IEEE, (2020)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Keine Personen gefunden für den Autorennamen Ohmi, Shun'ichiro
Eine Person hinzufügen mit dem Namen Ohmi, Shun'ichiro
 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

The Effect of Kr/O2 Sputtering on the Ferroelectric Properties of SrBi2Ta2O9 Thin Film Formation., , , , , und . IEICE Trans. Electron., 102-C (6): 441-446 (2019)High-k LaBxNy gate insulator formed by the Ar/N2 plasma sputtering of N-doped LaB6 metal thin films and its application to floating-gate memory., und . DRC, Seite 1-2. IEEE, (2020)A Proposal of TC-MOSFET and Fabrication Process of Twin Si Channels., und . IEICE Trans. Electron., 90-C (5): 994-999 (2007)Modulation of PtSi Work Function by Alloying with Low Work Function Metal., , und . IEICE Trans. Electron., 94-C (5): 775-779 (2011)Impact of Si surface roughness on MOSFET characteristics with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering., , und . IEICE Electron. Express, 10 (18): 20130651 (2013)In-situ formation of Hf-based MONOS structures for non-volatile memory applications., und . IEICE Electron. Express, 12 (24): 20150969 (2015)In-Situ N2-Plasma Nitridation for High-k HfN Gate Insulator Formed by Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering., , , und . IEICE Trans. Electron., 103-C (6): 299-303 (2020)MFSFET with Ferroelectric HfN for Analog Memory Application., , , , und . DRC, Seite 1-2. IEEE, (2022)The Effect of PMA with TiN Gate Electrode on the Formation of Ferroelectric Undoped HfO2 Directly Deposited on Si(100)., und . IEICE Trans. Electron., 102-C (6): 435-440 (2019)High Quality Pentacene Film Formation on N-Doped LaB6 Donor Layer., , , und . IEICE Trans. Electron., 99-C (5): 535-540 (2016)