From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

Realization of a vertical topological p-n junction in epitaxial Sb2Te3/Bi2Te3 heterostructures

M. Eschbach, E. Mlynczak, J. Kellner, J. Kampmeier, M. Lanius, E. Neumann, C. Weyrich, M. Gehlmann, P. Gospodaric, S. Doring, G. Mussler, N. Demarina, M. Luysberg, G. Bihlmayer, T. Schapers, L. Plucinski, S. Blugel, M. Morgenstern, C. Schneider, и D. Grutzmacher. Nat Commun, (ноября 2015)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Detlev Grützmacher

Curt Grützmacher

Jens Grützmacher

Huberta Grützmacher

Helga Grützmacher

Другие публикации лиц с тем же именем

Bi1Te1 is a dual topological insulatorM. Eschbach, M. Lanius, C. Niu, E. Młyńczak, P. Gospodarič, J. Kellner, P. Schüffelgen, M. Gehlmann, S. Döring, E. Neumann и 8 other автор(ы). Nature Communications, (апреля 2017)Realization of a vertical topological p-n junction in epitaxial Sb2Te3/Bi2Te3 heterostructuresM. Eschbach, E. Mlynczak, J. Kellner, J. Kampmeier, M. Lanius, E. Neumann, C. Weyrich, M. Gehlmann, P. Gospodaric, S. Doring и 10 other автор(ы). Nat Commun, (ноября 2015)Hybrid Nanorobotic Approaches for Fabricating NEMS from 3D Helical Nanostructures.L. Dong, L. Zhang, D. Bell, B. Nelson, и D. Grützmacher. ICRA, стр. 1396-1401. IEEE, (2006)NEUROTEC I: Neuro-inspired Artificial Intelligence Technologies for the Electronics of the Future.M. Galicia, S. Menzel, F. Merchant, M. Müller, H. Chen, Q. Zhao, F. Cüppers, A. Jalil, Q. Shu, P. Schüffelgen и 23 other автор(ы). DATE, стр. 957-962. IEEE, (2022)GeSn Vertical Gate-all-around Nanowire n-type MOSFETs.Y. Junk, M. Frauenrath, Y. Han, O. Diaz, J. Bae, J. Hartmann, D. Grützmacher, D. Buca, и Q. Zhao. ESSDERC, стр. 364-367. IEEE, (2022)4-Terminal Ferroelectric Schottky Barrier Field Effect Transistors as Artificial Synapses.F. Xi, Y. Han, A. Tiedemann, D. Grützmacher, и Q. Zhao. ESSDERC, стр. 291-294. IEEE, (2021)Tuning the Dirac point to the Fermi level in the ternary topological insulator (Bi1−xSbx)2Te3J. Kellner, M. Eschbach, J. Kampmeier, M. Lanius, E. Młyńczak, G. Mussler, B. Holländer, L. Plucinski, M. Liebmann, D. Grützmacher и 2 other автор(ы). Applied Physics Letters, 107 (25): 251603 (2015)Manipulating InAs nanowires with submicrometer precisionK. Flöhr, M. Liebmann, K. Sladek, H. Günel, R. Frielinghaus, F. Haas, C. Meyer, H. Hardtdegen, T. Schäpers, D. Grützmacher и 1 other автор(ы). Review of Scientific Instruments, 82 (11): - (2011)Ferroelectric Schottky Barrier MOSFET as Analog Synapses for Neuromorphic Computing.F. Xi, A. Grenmy, J. Zhang, Y. Han, J. Bae, D. Grützmacher, и Q. Zhao. ESSCIRC, стр. 121-124. IEEE, (2022)High Performance 5 nm Si Nanowire FETs with a Record Small SS = 2.3 mV/dec and High Transconductance at 5.5 K Enabled by Dopant Segregated Silicide Source/Drain.Y. Han, J. Sun, J. Bae, D. Grützmacher, J. Knoch, и Q. Zhao. VLSI Technology and Circuits, стр. 1-2. IEEE, (2023)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter