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Processor-level reliability simulator for time-dependent gate dielectric breakdown., , , und . Microprocess. Microsystems, 39 (8): 950-960 (2015)System-level variation-aware aging simulator using a unified novel gate-delay model for bias temperature instability, hot carrier injection, and gate oxide breakdown., , , und . Microelectron. Reliab., 55 (9-10): 1334-1340 (2015)Impact of Front-End Wearout Mechanisms on the Performance of a Ring Oscillator-Based Thermal Sensor., , , und . IWASI, Seite 258-263. IEEE, (2019)A Comprehensive Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Simulator for Both Traditional CMOS and FinFET Technology., , , und . IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., 26 (11): 2470-2482 (2018)Analysis of time-dependent dielectric breakdown induced aging of SRAM cache with different configurations., , , und . Microelectron. Reliab., (2017)Optimal Accelerated Test Regions for Time- Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Parameters Estimation in FinFET Technology., , , , und . DCIS, Seite 1-6. IEEE, (2018)Negative Bias Temperature Instability and Gate Oxide Breakdown Modeling in Circuits With Die-to-Die Calibration Through Power Supply and Ground Signal Measurements., , und . IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., 25 (8): 2271-2284 (2017)Comprehensive Reliability-Aware Statistical Timing Analysis Using a Unified Gate-Delay Model for Microprocessors., , und . IEEE Trans. Emerg. Top. Comput., 6 (2): 219-232 (2018)SRAM Stability Analysis and Performance-Reliability Tradeoff for Different Cache Configurations., , , , und . IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., 28 (3): 620-633 (2020)Comprehensive reliability and aging analysis on SRAMs within microprocessor systems., , , und . Microelectron. Reliab., 55 (9-10): 1290-1296 (2015)