From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

A 16 nm 128 Mb SRAM in High-κ Metal-Gate FinFET Technology With Write-Assist Circuitry for Low-VMIN Applications.

Y. Chen, W. Chan, W. Wu, H. Liao, K. Pan, J. Liaw, T. Chung, Q. Li, C. Lin, M. Chiang, S. Wu, и J. Chang. IEEE J. Solid State Circuits, 50 (1): 170-177 (2015)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Chung-Hung Liao

Jen-Jen Lin

Jen Kurucz

Chenkuo Jen

Bingzi Liao

Другие публикации лиц с тем же именем

17.2 A 64kb 16nm asynchronous disturb current free 2-port SRAM with PMOS pass-gates for FinFET technologies.H. Fujiwara, L. Wang, Y. Chen, K. Lin, D. Sun, S. Wu, J. Liaw, C. Lin, M. Chiang, H. Liao и 2 other автор(ы). ISSCC, стр. 1-3. IEEE, (2015)A 16 nm 128 Mb SRAM in High-κ Metal-Gate FinFET Technology With Write-Assist Circuitry for Low-VMIN Applications.Y. Chen, W. Chan, W. Wu, H. Liao, K. Pan, J. Liaw, T. Chung, Q. Li, C. Lin, M. Chiang и 2 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 50 (1): 170-177 (2015)A 20nm 112Mb SRAM in High-к metal-gate with assist circuitry for low-leakage and low-VMIN applications.J. Chang, Y. Chen, H. Cheng, W. Chan, H. Liao, Q. Li, S. Chang, S. Natarajan, R. Lee, P. Wang и 5 other автор(ы). ISSCC, стр. 316-317. IEEE, (2013)An Offset-Tolerant Fast-Random-Read Current-Sampling-Based Sense Amplifier for Small-Cell-Current Nonvolatile Memory.M. Chang, S. Shen, C. Liu, C. Wu, Y. Lin, Y. King, C. Lin, H. Liao, Y. Chih, и H. Yamauchi. IEEE J. Solid State Circuits, 48 (3): 864-877 (2013)A 135.6Tbps/W 2R2W SRAM with 12T Logic Bit-cell with Vmin Down to 335mV Targeted for Machine-Learning Applications in 6nm FinFET CMOS Technology.N. Akkaya, G. Chan, H. Liao, Y. Wang, и J. Chang. VLSI Technology and Circuits, стр. 110-111. IEEE, (2022)A 4nm 6163-TOPS/W/b $4790-TOPS/mm^2/b$ SRAM Based Digital-Computing-in-Memory Macro Supporting Bit-Width Flexibility and Simultaneous MAC and Weight Update.H. Mori, W. Zhao, C. Lee, C. Lee, Y. Hsu, C. Chuang, T. Hashizume, H. Tung, Y. Liu, S. Wu и 8 other автор(ы). ISSCC, стр. 132-133. IEEE, (2023)A 3nm 256Mb SRAM in FinFET Technology with New Array Banking Architecture and Write-Assist Circuitry Scheme for High-Density and Low-VMIN Applications.J. Chang, Y. Chen, G. Chan, K. Lin, P. Wang, Y. Lin, S. Chen, P. Lin, C. Wu, C. Lin и 8 other автор(ы). VLSI Technology and Circuits, стр. 1-2. IEEE, (2023)A 3-nm FinFET 27.6-Mbit/mm2 Single-Port 6T SRAM Enabling 0.48-1.2 V Wide Operating Range With Far-End Pre-Charge and Weak-Bit Tracking.Y. Aoyagi, K. Nii, M. Yabuuchi, T. Tanaka, Y. Ishii, Y. Osada, T. Nakazato, I. Wang, Y. Hsu, H. Cheng и 2 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 59 (4): 1225-1234 (апреля 2024)A 64-Kb 0.37V 28nm 10T-SRAM with mixed-Vth read-port and boosted WL scheme for IoT applications.H. Fujiwara, Y. Chen, C. Lin, W. Wu, D. Sun, S. Wu, H. Liao, и J. Chang. A-SSCC, стр. 185-188. IEEE, (2016)An offset-tolerant current-sampling-based sense amplifier for Sub-100nA-cell-current nonvolatile memory.M. Chang, S. Shen, C. Liu, C. Wu, Y. Lin, S. Wu, C. Huang, H. Lai, Y. King, C. Lin и 3 other автор(ы). ISSCC, стр. 206-208. IEEE, (2011)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter