( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Thirumala, Sandeep Krishna"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Exploring the Design of Energy-Efficient Intermittently Powered Systems Using Reconfigurable Ferroelectric Transistors.

, , , und . IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., 30 (4): 365-378 (2022)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Sandeep Sadanandan

Sandeep Kumar

Sandeep Nambiar

Sandeep Ameta

Sandeep Pal

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

IPS-CiM: Enhancing Energy Efficiency of Intermittently-Powered Systems with Compute-in-Memory., , , und . ICCD, Seite 368-376. IEEE, (2020)CTCG: Charge-trap based camouflaged gates for reverse engineering prevention., , , , , , und . HOST, Seite 103-110. IEEE Computer Society, (2018)Computing with ferroelectric FETs: Devices, models, systems, and applications., , , , , , , , , und 9 andere Autor(en). DATE, Seite 1289-1298. IEEE, (2018)STeP-CiM: Strain-enabled Ternary Precision Computation-in-Memory based on Non-Volatile 2D Piezoelectric Transistors., , , , und . CoRR, (2022)A Family of Compact Non-Volatile Flip-Flops With Ferroelectric FET., , , , , und . IEEE Trans. Circuits Syst. I Regul. Pap., 66-I (11): 4219-4229 (2019)Valley-Coupled-Spintronic Non-Volatile Memories with Compute-In-Memory Support., , , , , , , , und . CoRR, (2019)Non-Volatile Memory utilizing Reconfigurable Ferroelectric Transistors to enable Differential Read and Energy-Efficient In-Memory Computation., , , und . ISLPED, Seite 1-6. IEEE, (2019)WSe2 based Valley-Coupled-Spintronic Devices for Low Power Non-Volatile Memories., , , , , , , und . DRC, Seite 211-212. IEEE, (2019)Exploring the Design of Energy-Efficient Intermittently Powered Systems Using Reconfigurable Ferroelectric Transistors., , , und . IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., 30 (4): 365-378 (2022)Polarization-induced Strain-coupled TMD FETs (PS FETs) for Non-Volatile Memory Applications., , , , , und . DRC, Seite 1-2. IEEE, (2020)