Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

High power devices in wide bandgap semiconductors.. Sci. China Inf. Sci., 54 (5): 1087-1093 (2011)Improved low-frequency noise for 0.3nm EOT thulium silicate interfacial layer., , , , und . ESSDERC, Seite 361-364. IEEE, (2014)Improvement on Ge/GeOx/Tm2O3/HfO2 Gate Performance by Forming Gas Anneal., , und . ESSDERC, Seite 227-230. IEEE, (2021)Hot-carrier degradation in single-layer double-gated graphene field-effect transistors., , , , , , , und . IRPS, Seite 2. IEEE, (2015)Toward effective passivation of graphene to humidity sensing effects., , , , , , und . ESSDERC, Seite 299-302. IEEE, (2016)Bipolar Technology., und . The VLSI Handbook, CRC Press, (1999)CMOS compatible ALD high-k double slot grating couplers for on-chip optical interconnects., , , und . ESSDERC, Seite 93-96. IEEE, (2012)An integration approach for graphene double-gate transistors., , , , , , , , und . ESSDERC, Seite 250-253. IEEE, (2012)Interplay between hot carrier and bias stress components in single-layer double-gated graphene field-effect transistors., , , , , , und . ESSDERC, Seite 172-175. IEEE, (2015)PDMS-supported graphene transfer using intermediary polymer layers., , , , und . ESSDERC, Seite 309-312. IEEE, (2014)