Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Analysis of BTI in 300 mm integrated dual-gate WS2 FETs., , , , , , und . DRC, Seite 1-2. IEEE, (2022)Tunneling transistors based on MoS2/MoTe2 Van der Waals heterostructures., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 106-109. IEEE, (2017)Impact of gate stack processing on the hysteresis of 300 mm integrated WS2 FETs., , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). IRPS, Seite 1-6. IEEE, (2023)Towards low damage and fab-compatible top-contacts in MX2 transistors using a combined synchronous pulse atomic layer etch and wet-chemical etch approach., , , , , , , , , und 7 andere Autor(en). VLSI Technology and Circuits, Seite 1-2. IEEE, (2023)Beyond-Si materials and devices for more Moore and more than Moore applications., , , , , , , , , und 16 andere Autor(en). ICICDT, Seite 1-5. IEEE, (2016)The Promise of 2-D Materials for Scaled Digital and Analog Applications., , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). ISSCC, Seite 394-395. IEEE, (2023)WS2 transistors on 300 mm wafers with BEOL compatibility., , , , , , , , , und 8 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 212-215. IEEE, (2017)Tunnel FETs using Phosphorene/ReS2 heterostructures., , , , , und . DRC, Seite 113-114. IEEE, (2019)Experimental calibration of the temperature dependence of the heterojunction bandgap in III-V tunneling devices., , , , und . DRC, Seite 253-254. IEEE, (2019)Integration of epitaxial monolayer MX₂ channels on 300mm wafers via Collective-Die-To-Wafer (CoD2W) transfer., , , , , , , , , und 10 andere Autor(en). VLSI Technology and Circuits, Seite 1-2. IEEE, (2023)