From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

Beyond-Si materials and devices for more Moore and more than Moore applications.

N. Collaert, A. Alian, H. Arimura, G. Boccardi, G. Eneman, J. Franco, T. Ivanov, D. Lin, J. Mitard, S. Ramesh, R. Rooyackers, M. Schaekers, A. Sibaya-Hernandez, S. Sioncke, Q. Smets, A. Vais, A. Vandooren, A. Veloso, A. Verhulst, D. Verreck, N. Waldron, A. Walke, L. Witters, H. Yu, X. Zhou, и A. Thean. ICICDT, стр. 1-5. IEEE, (2016)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Franz Smets

Anne Smets

Florian Smets

Rudolf Smets

Karl Smets

Другие публикации лиц с тем же именем

Tunneling transistors based on MoS2/MoTe2 Van der Waals heterostructures.Y. Balaji, Q. Smets, C. de la Rosa, A. Lu, D. Chiappe, T. Agarwal, D. Lin, C. Huyghebaert, I. Radu, D. Mocuta и 1 other автор(ы). ESSDERC, стр. 106-109. IEEE, (2017)Analysis of BTI in 300 mm integrated dual-gate WS2 FETs.L. Panarella, Q. Smets, D. Verreck, T. Schram, D. Cott, I. Asselberghs, и B. Kaczer. DRC, стр. 1-2. IEEE, (2022)Impact of gate stack processing on the hysteresis of 300 mm integrated WS2 FETs.L. Panarella, B. Kaczer, Q. Smets, D. Verreck, T. Schram, D. Cott, D. Lin, S. Tyaginov, I. Asselberghs, C. de la Rosa и 2 other автор(ы). IRPS, стр. 1-6. IEEE, (2023)Beyond-Si materials and devices for more Moore and more than Moore applications.N. Collaert, A. Alian, H. Arimura, G. Boccardi, G. Eneman, J. Franco, T. Ivanov, D. Lin, J. Mitard, S. Ramesh и 16 other автор(ы). ICICDT, стр. 1-5. IEEE, (2016)Towards low damage and fab-compatible top-contacts in MX2 transistors using a combined synchronous pulse atomic layer etch and wet-chemical etch approach.S. Kundu, D. van Doip, T. Schram, Q. Smets, S. Banerjee, B. Groven, D. Cott, S. Decoster, P. Bezard, F. Lazzarino и 7 other автор(ы). VLSI Technology and Circuits, стр. 1-2. IEEE, (2023)Tunnel FETs using Phosphorene/ReS2 heterostructures.Y. Balaji, Q. Smets, D. Lin, I. Asselberghs, I. Radu, и G. Groeseneken. DRC, стр. 113-114. IEEE, (2019)WS2 transistors on 300 mm wafers with BEOL compatibility.T. Schram, Q. Smets, B. Groven, M. Heyne, E. Kunnen, A. Thiam, K. Devriendt, A. Delabie, D. Lin, M. Lux и 8 other автор(ы). ESSDERC, стр. 212-215. IEEE, (2017)The Promise of 2-D Materials for Scaled Digital and Analog Applications.D. Verreck, P. Wambacq, M. Put, Z. Ahmed, Q. Smets, A. Afzalian, R. Duflou, X. Wu, G. Mirabelli, R. Chen и 2 other автор(ы). ISSCC, стр. 394-395. IEEE, (2023)Experimental calibration of the temperature dependence of the heterojunction bandgap in III-V tunneling devices.J. Bizindavyi, A. Verhulst, Q. Smets, B. Sorée, и G. Groeseneken. DRC, стр. 253-254. IEEE, (2019)Integration of epitaxial monolayer MX₂ channels on 300mm wafers via Collective-Die-To-Wafer (CoD2W) transfer.S. Ghosh, Q. Smets, S. Banerjee, T. Schram, K. Kennes, R. Verheyen, P. Kumar, M. Boulon, B. Groven, H. Silva и 10 other автор(ы). VLSI Technology and Circuits, стр. 1-2. IEEE, (2023)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter