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Nanosheet-based Complementary Field-Effect Transistors (CFETs) at 48nm Gate Pitch, and Middle Dielectric Isolation to enable CFET Inner Spacer Formation and Multi-Vt Patterning.

H. Mertens, M. Hosseini, T. Chiarella, D. Zhou, S. Wang, G. Mannaert, E. Dupuy, D. Radisic, Z. Tao, Y. Oniki, A. Hikavyy, R. Rosseel, A. Mingardi, S. Choudhury, P. Gowda, F. Sebaai, A. Peter, K. Vandersmissen, J. Soulie, A. Keersgieter, L. Lima, C. Cavalcante, D. Batuk, G. Martinez, J. Geypen, F. Seidel, K. Paulussen, P. Favia, J. Bömmels, R. Loo, P. Wong, A. Marquez, B. Chan, J. Mitard, S. Subramanian, S. Demuynck, E. Litta, N. Horiguchi, S. Samavedam, und S. Biesemans. VLSI Technology and Circuits, Seite 1-2. IEEE, (2023)

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BibSonomy

Disambiguierung von "Horiguchi, N."