Artikel in einem Konferenzbericht,

Time dependent dielectric breakdown (TDDB) evaluation of PE-ALD SiN gate dielectrics on AlGaN/GaN recessed gate D-mode MIS-HEMTs and E-mode MIS-FETs.

, , , , , , , , und .
IRPS, Seite 6. IEEE, (2015)

Metadaten

Tags

Nutzer

  • @dblp

Kommentare und Rezensionen