( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Iñíguez, Benjamín"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Influence of P3HT: PCBM blend preparation on the active layer morphology and cell degradation.

, , , , , , , , , und . Microelectron. Reliab., 51 (3): 597-601 (2011)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Maria Iñiguez

Benjamín Briseño

Benjamín Briseño

Benjamín Martínez López

Benjamin Köckemann

Abundance, niche breadth and stress in the centre and at the border of the distribution range: a macroecological study on abundant and rare tree specie. Uni Göttingen, (2008)
 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Modeling the subthreshold region of OTFTs., , , und . CCE, Seite 1-4. IEEE, (2011)3-D compact model for nanoscale junctionless triple-gate nanowire MOSFETs., , , und . ESSDERC, Seite 258-261. IEEE, (2014)Implementation of a DC compact model for double-gate Tunnel-FET based on 2D calculations and application in circuit simulation., , , , , , , , und . ESSDERC, Seite 456-459. IEEE, (2016)Development of a Cinfinity-continuous small-signal model for a MOS transistor in normal operation., und . IEEE Trans. Comput. Aided Des. Integr. Circuits Syst., 14 (2): 163-166 (1995)Implementation of nanoscale double-gate CMOS circuits using compact advanced transport models., , , , , , und . Microelectron. J., 44 (2): 80-85 (2013)Development of a Cinfinty-Continuous Small-Signal Model for a MOS Transistor., und . ISCAS, Seite 193-196. IEEE, (1994)Modeling and performance study of nanoscale double gate junctionless and inversion mode MOSFETs including carrier quantization effects., , , und . Microelectron. J., 45 (9): 1220-1225 (2014)Modeling the variation of threshold voltage, mobility factor and saturation coefficient in amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide thin film transistors., , , , , , und . CCE, Seite 1-4. IEEE, (2016)Self-consistent 2D Compact Model for Nanoscale Double Gate MOSFETs., , und . International Conference on Computational Science (4), Volume 3994 von Lecture Notes in Computer Science, Seite 607-614. Springer, (2006)Graphene electronic sensors - review of recent developments and future challenges., , , und . IET Circuits Devices Syst., 9 (6): 446-453 (2015)