Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Keine Personen gefunden für den Autorennamen Ishizu, Takahiko
Eine Person hinzufügen mit dem Namen Ishizu, Takahiko
 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

A 20ns-write 45ns-read and 1014-cycle endurance memory module composed of 60nm crystalline oxide semiconductor transistors., , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). ISSCC, Seite 484-486. IEEE, (2018)Embedded SRAM and Cortex-M0 Core Using a 60-nm Crystalline Oxide Semiconductor., , , , , , , , , und 5 andere Autor(en). IEEE Micro, 34 (6): 42-53 (2014)16.9 A 128kb 4b/cell nonvolatile memory with crystalline In-Ga-Zn oxide FET using Vt, cancel write method., , , , , , , , , und 7 andere Autor(en). ISSCC, Seite 1-3. IEEE, (2015)A 48 MHz 880-nW Standby Power Normally-Off MCU with 1 Clock Full Backup and 4.69-μs Wakeup Featuring 60-nm Crystalline In-Ga-Zn Oxide BEOL-FETs., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). VLSI Circuits, Seite 48-. IEEE, (2019)Micro Short-Circuit Detector Including S/H Circuit for 1hr Retention and 52dB Comparator Composed of C-Axis Aligned Crystalline IGZO FETs for Li-Ion Battery Protection IC., , , , , , , , , und 7 andere Autor(en). ISSCC, Seite 204-206. IEEE, (2019)A 32-bit CPU with zero standby power and 1.5-clock sleep/2.5-clock wake-up achieved by utilizing a 180-nm C-axis aligned crystalline In-Ga-Zn oxide transistor., , , , , , , , , und 8 andere Autor(en). VLSIC, Seite 1-2. IEEE, (2014)Embedded SRAM and Cortex-M0 core with backup circuits using a 60-nm crystalline oxide semiconductor for power gating., , , , , , , , , und 14 andere Autor(en). COOL Chips, Seite 1-3. IEEE Computer Society, (2014)