( en | de | ru )

 

Disambiguation

From post

копироватьудалитьдобавить публикацию в буфер
A 19nm 112.8mm2 64Gb multi-level flash memory with 400Mb/s/pin 1.8V Toggle Mode interface.

, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , и . ISSCC, стр. 422-424. IEEE, (2012)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Setsuko Hashimoto

Toshifumi Goto

Marcelo Hashimoto

Jujiro Hashimoto

Yoko Hashimoto

 

Другие публикации лиц с тем же именем

A 1.33Tb 4-bit/Cell 3D-Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology., , , , , , , , , и 42 other автор(ы). ISSCC, стр. 210-212. IEEE, (2019)30.4 A 1Tb 3b/Cell 3D-Flash Memory in a 170+ Word-Line-Layer Technology., , , , , , , , , и 49 other автор(ы). ISSCC, стр. 428-430. IEEE, (2021)A 1.33-Tb 4-Bit/Cell 3-D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology., , , , , , , , , и 39 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 55 (1): 178-188 (2020)A 113mm2 32Gb 3b/cell NAND flash memory., , , , , , , , , и 28 other автор(ы). ISSCC, стр. 242-243. IEEE, (2009)A 19 nm 112.8 mm2 64 Gb Multi-Level Flash Memory With 400 Mbit/sec/pin 1.8 V Toggle Mode Interface., , , , , , , , , и 22 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 48 (1): 159-167 (2013)A 19nm 112.8mm2 64Gb multi-level flash memory with 400Mb/s/pin 1.8V Toggle Mode interface., , , , , , , , , и 45 other автор(ы). ISSCC, стр. 422-424. IEEE, (2012)A 512Gb 3b/Cell 3D flash memory on a 96-word-line-layer technology., , , , , , , , , и 54 other автор(ы). ISSCC, стр. 336-338. IEEE, (2018)