( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Hull, Christopher D."

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
A mixed-signal 32-coefficient RX-FFE 100-coefficient DFE for an 8Gb/s 60GHz receiver in 65nm LP CMOS.

, , , und . ISSCC, Seite 238-239. IEEE, (2013)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Christopher D Paschall

Norbert Hüll

Duncan Hull

Georg Hüll

Dirk Hüll

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

A transformer-based broadband I/O matching-balun-T/R switch front-end combo scheme in standard CMOS., , , und . CICC, Seite 1-4. IEEE, (2011)A 2.7-V 900-MHz/1.9-GHz dual-band transceiver IC for digital wireless communication., , , , , und . IEEE J. Solid State Circuits, 34 (3): 286-291 (1999)A Fully Integrated 160-Gb/s D-Band Transmitter Achieving 1.1-pJ/b Efficiency in 22-nm FinFET., , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). IEEE J. Solid State Circuits, 57 (12): 3582-3598 (2022)A 1.1V 5-to-6GHz reduced-component direct-conversion transmit signal path in 45nm CMOS., , , , und . ISSCC, Seite 418-419. IEEE, (2009)A Fully Integrated Dual-Mode Highly Linear 2.4 GHz CMOS Power Amplifier for 4G WiMax Applications., , , , und . IEEE J. Solid State Circuits, 44 (12): 3393-3402 (2009)A single-chip highly linear 2.4GHz 30dBm power amplifier in 90nm CMOS., , , , , und . ISSCC, Seite 378-379. IEEE, (2009)A 6.0mW 3.8GS/s 7b VTC/TDC-Assisted Interleaved SAR ADC with 13GHz ERBW., , , , , , , , , und . VLSI Technology and Circuits, Seite 170-171. IEEE, (2022)FinFET for mm Wave - Technology and Circuit Design Challenges., , , , und . BCICTS, Seite 168-173. IEEE, (2018)A Fully Integrated 160Gb/s D-Band Transmitter with 1.1 pJ/b Efficiency in 22nm FinFET Technology., , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). ISSCC, Seite 78-80. IEEE, (2022)An $E$ -Band Power Amplifier With 26.3% PAE and 24-GHz Bandwidth in 22-nm FinFET CMOS., , und . IEEE J. Solid State Circuits, 54 (5): 1266-1273 (2019)