From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

11.1 A 512Gb 3b/cell flash memory on 64-word-line-layer BiCS technology.

R. Yamashita, S. Magia, T. Higuchi, K. Yoneya, T. Yamamura, H. Mizukoshi, S. Zaitsu, M. Yamashita, S. Toyama, N. Kamae, J. Lee, S. Chen, J. Tao, W. Mak, X. Zhang, Y. Yu, Y. Utsunomiya, Y. Kato, M. Sakai, M. Matsumoto, H. Chibvongodze, N. Ookuma, H. Yabe, S. Taigor, R. Samineni, T. Kodama, Y. Kamata, Y. Namai, J. Huynh, S. Wang, Y. He, T. Pham, V. Saraf, A. Petkar, M. Watanabe, K. Hayashi, P. Swarnkar, H. Miwa, A. Pradhan, S. Dey, D. Dwibedy, T. Xavier, M. Balaga, S. Agarwal, S. Kulkarni, Z. Papasaheb, S. Deora, P. Hong, M. Wei, G. Balakrishnan, T. Ariki, K. Verma, C. Siau, Y. Dong, C. Lu, T. Miwa, и F. Moogat. ISSCC, стр. 196-197. IEEE, (2017)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Ferenc Kató

Yumiko Kato

Keiichi Kato

Ferenc Kató

Morimichi Kato

Другие публикации лиц с тем же именем

A 19 nm 112.8 mm2 64 Gb Multi-Level Flash Memory With 400 Mbit/sec/pin 1.8 V Toggle Mode Interface.K. Kanda, N. Shibata, T. Hisada, K. Isobe, M. Sato, Y. Shimizu, T. Shimizu, T. Sugimoto, T. Kobayashi, N. Kanagawa и 22 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 48 (1): 159-167 (2013)A 1-Tb 4b/Cell 4-Plane 162-Layer 3D Flash Memory With a 2.4-Gb/s I/O Speed Interface.J. Yuh, J. Li, H. Li, Y. Oyama, C. Hsu, P. Anantula, S. Jeong, A. Amarnath, S. Darne, S. Bhatia и 39 other автор(ы). ISSCC, стр. 130-132. IEEE, (2022)A 19nm 112.8mm2 64Gb multi-level flash memory with 400Mb/s/pin 1.8V Toggle Mode interface.N. Shibata, K. Kanda, T. Hisada, K. Isobe, M. Sato, Y. Shimizu, T. Shimizu, T. Sugimoto, T. Kobayashi, K. Inuzuka и 45 other автор(ы). ISSCC, стр. 422-424. IEEE, (2012)A 120mm2 16Gb 4-MLC NAND Flash Memory with 43nm CMOS Technology.K. Kanda, M. Koyanagi, T. Yamamura, K. Hosono, M. Yoshihara, T. Miwa, Y. Kato, A. Mak, S. Chan, F. Tsai и 27 other автор(ы). ISSCC, стр. 430-431. IEEE, (2008)11.1 A 512Gb 3b/cell flash memory on 64-word-line-layer BiCS technology.R. Yamashita, S. Magia, T. Higuchi, K. Yoneya, T. Yamamura, H. Mizukoshi, S. Zaitsu, M. Yamashita, S. Toyama, N. Kamae и 47 other автор(ы). ISSCC, стр. 196-197. IEEE, (2017)A 151mm2 64Gb MLC NAND flash memory in 24nm CMOS technology.K. Fukuda, Y. Watanabe, E. Makino, K. Kawakami, J. Sato, T. Takagiwa, N. Kanagawa, H. Shiga, N. Tokiwa, Y. Shindo и 32 other автор(ы). ISSCC, стр. 198-199. IEEE, (2011)A 512Gb 3-bit/Cell 3D Flash Memory on 128-Wordline-Layer with 132MB/s Write Performance Featuring Circuit-Under-Array Technology.C. Siau, K. Kim, S. Lee, K. Isobe, N. Shibata, K. Verma, T. Ariki, J. Li, J. Yuh, A. Amarnath и 42 other автор(ы). ISSCC, стр. 218-220. IEEE, (2019)A 151-mm2 64-Gb 2 Bit/Cell NAND Flash Memory in 24-nm CMOS Technology.K. Fukuda, Y. Watanabe, E. Makino, K. Kawakami, J. Sato, T. Takagiwa, N. Kanagawa, H. Shiga, N. Tokiwa, Y. Shindo и 32 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 47 (1): 75-84 (2012)D-Pen: a digital pen system for public and business enterprises.N. Furukawa, H. Ikeda, Y. Kato, и H. Sako. IWFHR, стр. 269-274. IEEE Computer Society, (2004)A 1-Tb 4-b/cell 4-Plane 162-Layer 3-D Flash Memory With 2.4-Gb/s IO Interface.J. Yuh, Y. Li, H. Li, Y. Oyama, C. Hsu, P. Anantula, G. Jeong, A. Amarnath, S. Darne, S. Bhatia и 37 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 58 (1): 316-328 (2023)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter