( en | de | ru )

 

Disambiguierung von "Higashitani, Masaaki"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
A 130.7mm2 2-layer 32Gb ReRAM memory device in 24nm technology.

, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , und . ISSCC, Seite 210-211. IEEE, (2013)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Masaaki Minakawa

Masaaki Hayashida

Masaaki Tsukamoto

Masaaki Hoshino

Masaaki Kurasawa

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

A 130.7mm2 2-layer 32Gb ReRAM memory device in 24nm technology., , , , , , , , , und 37 andere Autor(en). ISSCC, Seite 210-211. IEEE, (2013)A 151-mm2 64-Gb 2 Bit/Cell NAND Flash Memory in 24-nm CMOS Technology., , , , , , , , , und 32 andere Autor(en). IEEE J. Solid State Circuits, 47 (1): 75-84 (2012)A 151mm2 64Gb MLC NAND flash memory in 24nm CMOS technology., , , , , , , , , und 32 andere Autor(en). ISSCC, Seite 198-199. IEEE, (2011)A 34 MB/s MLC Write Throughput 16 Gb NAND With All Bit Line Architecture on 56 nm Technology., , , , , , , , , und 33 andere Autor(en). IEEE J. Solid State Circuits, 44 (1): 186-194 (2009)A 146-mm2 8-gb multi-level NAND flash memory with 70-nm CMOS technology., , , , , , , , , und 15 andere Autor(en). IEEE J. Solid State Circuits, 41 (1): 161-169 (2006)A 16Gb 3b/ Cell NAND Flash Memory in 56nm with 8MB/s Write Rate., , , , , , , , , und 38 andere Autor(en). ISSCC, Seite 506-507. IEEE, (2008)A 34MB/s-Program-Throughput 16Gb MLC NAND with All-Bitline Architecture in 56nm., , , , , , , , , und 33 andere Autor(en). ISSCC, Seite 420-421. IEEE, (2008)A 56-nm CMOS 99-mm2 8-Gb Multi-Level NAND Flash Memory With 10-MB/s Program Throughput., , , , , , , , , und 25 andere Autor(en). IEEE J. Solid State Circuits, 42 (1): 219-232 (2007)A 16 Gb 3-Bit Per Cell (X3) NAND Flash Memory on 56 nm Technology With 8 MB/s Write Rate., , , , , , , , , und 38 andere Autor(en). IEEE J. Solid State Circuits, 44 (1): 195-207 (2009)A 120mm2 16Gb 4-MLC NAND Flash Memory with 43nm CMOS Technology., , , , , , , , , und 27 andere Autor(en). ISSCC, Seite 430-431. IEEE, (2008)