From post

копировать удалить добавить публикацию в буфер
Запись сообщества
посмотреть историю данной записи
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

A 130.7mm2 2-layer 32Gb ReRAM memory device in 24nm technology.

T. Liu, T. Yan, R. Scheuerlein, Y. Chen, J. Lee, G. Balakrishnan, G. Yee, H. Zhang, A. Yap, J. Ouyang, T. Sasaki, S. Addepalli, A. Al-Shamma, C. Chen, M. Gupta, G. Hilton, S. Joshi, A. Kathuria, V. Lai, D. Masiwal, M. Matsumoto, A. Nigam, A. Pai, J. Pakhale, C. Siau, X. Wu, R. Yin, L. Peng, J. Kang, S. Huynh, H. Wang, N. Nagel, Y. Tanaka, M. Higashitani, T. Minvielle, C. Gorla, T. Tsukamoto, T. Yamaguchi, M. Okajima, T. Okamura, S. Takase, T. Hara, H. Inoue, L. Fasoli, M. Mofidi, R. Shrivastava, и K. Quader. ISSCC, стр. 210-211. IEEE, (2013)

Please choose a person to relate this publication to

To differ between persons with the same name, the academic degree and the title of an important publication will be displayed.

Masaaki Minakawa

Masaaki Hayashida

Masaaki Tsukamoto

Masaaki Hoshino

Masaaki Kurasawa

Другие публикации лиц с тем же именем

A 151-mm2 64-Gb 2 Bit/Cell NAND Flash Memory in 24-nm CMOS Technology.K. Fukuda, Y. Watanabe, E. Makino, K. Kawakami, J. Sato, T. Takagiwa, N. Kanagawa, H. Shiga, N. Tokiwa, Y. Shindo и 32 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 47 (1): 75-84 (2012)A 130.7mm2 2-layer 32Gb ReRAM memory device in 24nm technology.T. Liu, T. Yan, R. Scheuerlein, Y. Chen, J. Lee, G. Balakrishnan, G. Yee, H. Zhang, A. Yap, J. Ouyang и 37 other автор(ы). ISSCC, стр. 210-211. IEEE, (2013)A 151mm2 64Gb MLC NAND flash memory in 24nm CMOS technology.K. Fukuda, Y. Watanabe, E. Makino, K. Kawakami, J. Sato, T. Takagiwa, N. Kanagawa, H. Shiga, N. Tokiwa, Y. Shindo и 32 other автор(ы). ISSCC, стр. 198-199. IEEE, (2011)A 34 MB/s MLC Write Throughput 16 Gb NAND With All Bit Line Architecture on 56 nm Technology.R. Cernea, L. Pham, F. Moogat, S. Chan, B. Le, Y. Li, S. Tsao, T. Tseng, K. Nguyen, J. Li и 33 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 44 (1): 186-194 (2009)A 146-mm2 8-gb multi-level NAND flash memory with 70-nm CMOS technology.T. Hara, K. Fukuda, K. Kanazawa, N. Shibata, K. Hosono, H. Maejima, M. Nakagawa, T. Abe, M. Kojima, M. Fujiu и 15 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 41 (1): 161-169 (2006)A 16Gb 3b/ Cell NAND Flash Memory in 56nm with 8MB/s Write Rate.Y. Li, S. Lee, Y. Fong, F. Pan, T. Kuo, J. Park, T. Samaddar, H. Nguyen, M. Mui, K. Htoo и 38 other автор(ы). ISSCC, стр. 506-507. IEEE, (2008)A 34MB/s-Program-Throughput 16Gb MLC NAND with All-Bitline Architecture in 56nm.R. Cernea, L. Pham, F. Moogat, S. Chan, B. Le, Y. Li, S. Tsao, T. Tseng, K. Nguyen, J. Li и 33 other автор(ы). ISSCC, стр. 420-421. IEEE, (2008)A 56-nm CMOS 99-mm2 8-Gb Multi-Level NAND Flash Memory With 10-MB/s Program Throughput.K. Takeuchi, Y. Kameda, S. Fujimura, H. Otake, K. Hosono, H. Shiga, Y. Watanabe, T. Futatsuyama, Y. Shindo, M. Kojima и 25 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 42 (1): 219-232 (2007)A 16 Gb 3-Bit Per Cell (X3) NAND Flash Memory on 56 nm Technology With 8 MB/s Write Rate.Y. Li, S. Lee, Y. Fong, F. Pan, T. Kuo, J. Park, T. Samaddar, H. Nguyen, M. Mui, K. Htoo и 38 other автор(ы). IEEE J. Solid State Circuits, 44 (1): 195-207 (2009)A 120mm2 16Gb 4-MLC NAND Flash Memory with 43nm CMOS Technology.K. Kanda, M. Koyanagi, T. Yamamura, K. Hosono, M. Yoshihara, T. Miwa, Y. Kato, A. Mak, S. Chan, F. Tsai и 27 other автор(ы). ISSCC, стр. 430-431. IEEE, (2008)

Что такое BibSonomy?: С чего начать; Кнопки для браузера; Помощь
Разработчикам: Обзор; API-документация

Контакт и защита личных данных: о нас; Cookies; Сообщить о проблеме; BibSonomy Вики

Интеграция: PUMA; Расширение для TYPO3; Плагин для; Клиент Java REST; Поддерживаемые источники; далее

О BibSonomy: Команда; Блог; Список рассылки
Социальные сети: Наш Twitter